二手電鏡：簡(jiǎn)介
日立新推出的高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡，1kv的分辨率提升到1.3nm，并在探測(cè)器設(shè)計(jì)上有新的突破，配置了Lower、Up-per和Top三個(gè)Everhart-Thornley型探測(cè)器，可以接受SE、LA-BSE和HA-BSE多種信號(hào)，實(shí)現(xiàn)微區(qū)的形貌襯度、原子序數(shù)襯度、結(jié)晶襯度和電位襯度的觀測(cè)；結(jié)合選配的STEM探測(cè)器，還可以實(shí)現(xiàn)明場(chǎng)像和暗場(chǎng)像的觀測(cè)；此外在半導(dǎo)體應(yīng)用中，還可以安裝EBIC探測(cè)器，采集感生電流圖像，極大豐富了信號(hào)的采集，對(duì)樣品的信息的收集達(dá)到了新的高度。

技術(shù)特點(diǎn)：
1. 低加速電壓成像能力，1kv分辨率可達(dá)1.3nm
2. 日立的ExB設(shè)計(jì)，不需噴鍍，可以直接觀測(cè)不導(dǎo)電樣品
3. 配置Lower、Upper和Top三個(gè)Everhart-Thornley型探測(cè)器
4. Upper和Top探頭均可選擇接受二次電子像或背散射電子像
5. 可以根據(jù)樣品類型和觀測(cè)要求選擇打開或關(guān)閉減速功能
6. 標(biāo)配有冷指、電子槍內(nèi)置加熱器，物鏡光闌具有自清潔功能
7. 儀器的烘烤維護(hù)及烘烤后的透鏡機(jī)械對(duì)中均可由用戶自行完成 

二手電鏡：操作事項(xiàng)

 1.1  制備樣品  SEM樣品制備相對(duì)簡(jiǎn)單，原則上只要能放入樣品室的樣品，都可進(jìn)行觀察。

但需注意以下事項(xiàng)：

 a) 樣品在物理上和化學(xué)上必須要保持穩(wěn)定，在真空中和電子束轟擊下不揮發(fā)或變形， 沒有腐蝕性和放射性。（通常是干燥固體。）

 b) 由于光源是電子，樣品必須導(dǎo)電，非導(dǎo)電樣品可噴鍍金膜。金膜在一定程度上會(huì)影 響樣品原有形貌。（若樣品本身導(dǎo)電，襯底不導(dǎo)電，如藍(lán)寶石上的ZnO，只需用導(dǎo)電膠把樣品表面連到樣品臺(tái)。）

 c)  由于物鏡有強(qiáng)磁性，帶有磁性的樣品制樣必須非常小心，防止在強(qiáng)磁場(chǎng)中樣品被吸入物鏡或分散在樣品室中。通常磁性樣品必須退磁，且工作距離（WD）須大于8mm。

  具體操作過程：  

(1) 按待測(cè)樣品數(shù)量選擇樣品臺(tái)，（支持直徑d=5mm,15mm,1 inch,2 inch等規(guī)格，若要觀測(cè)截面可選擇帶角度的樣品臺(tái)）。 

(2) 剪一小段導(dǎo)電膠，粘到樣品臺(tái)上。若樣品為粉末，則把粉末撒到導(dǎo)電膠上，用吸耳球或高壓氮?dú)獯祾叩魧?dǎo)電膠上未粘緊的粉末；若是塊狀樣品，則把樣品牢牢粘到導(dǎo)電膠上，用手輕輕推，樣品不會(huì)左右晃動(dòng)。（為觀測(cè)時(shí)方便定位，將樣品排列成行（或列），并在行下方（或列左側(cè)）標(biāo)上數(shù)字編號(hào)。） 

(3) 樣品粘貼完成后，用吸耳球或高壓氮?dú)獯祾叩魳悠放_(tái)上的粉末、灰塵、水珠、唾沫等（會(huì)影響照片質(zhì)量，甚至使真空度下降而無法加高壓，推薦認(rèn)真執(zhí)行。） 

1.2 查看真空度  打開前面板蓋，點(diǎn)擊MODE按鈕直至IP1指示燈閃，在登記表記下MULT INDICATOR數(shù)碼顯示管的讀數(shù)，同理讀取IP2，IP3并記錄。確認(rèn)IP1<2E-7，IP2<2E-6，IP3<5E-5。（通常情況都是IP1顯示0E-8，IP2顯示0E-8，IP3顯示0E-8或aE-7,1。）

二、 開機(jī)操作 

2.1  開機(jī)

網(wǎng)絡(luò)營(yíng)銷干貨匯總

搜索營(yíng)銷 社會(huì)化營(yíng)銷 移動(dòng)營(yíng)銷 數(shù)據(jù)分析

a) 開啟冷卻循環(huán)水電源，循環(huán)水溫度顯示應(yīng)在15-20℃，水位應(yīng)浸沒金屬線圈。

b) 按下位于桌子右上角的顯示單元“DISPLAY”開關(guān)，

c) 電腦自動(dòng)啟動(dòng)，根據(jù)界面提示按“Ctrl+Alt+Delete”，口令為空，直接Enter進(jìn)入系 統(tǒng)。系統(tǒng)自動(dòng)啟動(dòng)程序，口令為空，直接Enter進(jìn)入程序。按下“—”啟動(dòng)Display 進(jìn)入程序  

2.2 轟擊（flashing）  場(chǎng)效應(yīng)電子掃描顯微鏡（FE-SEM）在程序啟動(dòng)后會(huì)提示進(jìn)行flash，（去除電子源——FE吸附的氣體分子，起清潔作用。）通常是每天開始使用SEM時(shí)flash

一次，并記錄發(fā)射電流Ie，當(dāng)累計(jì)使用超過8小時(shí)，發(fā)射電流開始不穩(wěn)定，需要再轟擊一次，同樣記錄下電流Ie。（注意flash不需要開啟觀測(cè)用的電子槍高壓，軟件顯示高壓off為灰色狀態(tài)。） 轟擊后可以立即觀察圖像。但是在初的1小時(shí)左右，有時(shí)會(huì)有圖像干擾（圖像中出現(xiàn)明暗的橫線）。進(jìn)行高分辨率的觀察時(shí)，轟擊完1小時(shí)以上后再進(jìn)行觀察。